製品の説明
基本情報
マイクロエレクトロニクスと半導体技術の激しい開発により、モーターと電子コンポーネントは徐々に小型化、軽量、高エネルギー密度、高出力の出力の時代に入ります.は、電子基板の熱流密度が大幅に増加し、技術的な環境を維持することができます。セラミック基質は、高熱伝導率、シリコンに近い熱膨張係数、高い機械的強度、良好な化学的安定性、環境保護、および非毒性の特性を持っています.これは、新世代の熱切断基板および電子デバイスパッケージの理想的な材料であると考えられています.}
Chipnano Advanced Materialsは、ALN基板、シート、ロッド、チューブ、パイプ、プレート、リング、輪状、カスタマイズされた部品など、さまざまな窒化アルミニウムセラミック製品を提供しています。
新世代の高熱伝導性材料として、窒化アルミニウムには多くの利点があります。
- 高熱伝導率、アルミナセラミックの7倍以上。
-low熱膨張係数（4.5-10-6}/ semiconductorシリコン材料（3.5-4.0-10-6}/ degree）と一致します。
- 低誘電率
- エクスペレント断熱性能
-AL2O3およびBEOセラミックよりも高い曲げ強度を持つ、膨大な機械的特性、および通常の圧力で焼結することができます。
- 溶融金属に対する耐性と侵食抵抗
仕様
窒化アルミニウムセラミック基質仕様
|
製品 |
ALNセラミック基質 |
|
材料 |
aln |
|
タイプ |
正方形でカスタマイズされています |
|
プロセス |
乾燥プレスまたはタップキャスティング、圧力のない焼結、精密機械加工/レーザー処理、表面研磨 |
|
表面の粗さ |
ra<0.6um |
ALNセラミック基板の寸法
|
長さx幅 |
50mm x 50mm 120mm x 120mm 150mm 150mm 190mm 140mm |
|
厚さ |
0.1mm以上 |
基板のサイズをカスタマイズできます
ALNセラミック基板の主な用途
Using an AlN ceramic substrate as the carrier of the chip can isolate the chip from the module's heat dissipation base. The AlN ceramic layer in the middle of the substrate can effectively improve the insulation capacity of the module (the insulation withstand voltage of the ceramic layer is > 2.5 kV). At the same time, the aluminum nitride ceramic substrate has good thermal conductivity, and the thermal conductivity can reach 170-250W/mK. In addition, the expansion coefficient of the AlN ceramic substrate is similar to that of silicon and will not cause stress damage to the chip. The peel strength of the aluminum nitride ceramic substrate is >優れた機械的特性、腐食抵抗を備えた20n/mm2、および変形するのは簡単ではありません.広い温度範囲{.で使用できます
人気ラベル: Aln Ceramic Substrate、China Aln Ceramic Subsurers Manufacturer、Suppliers、Factory
