アイテム：ホットプレス窒化ホウ素るつぼ
材料：BN 99％-99。7％、BN複合セラミック
サイズ：1 0。0mm-500 mm厚さod、10-500 mm h
表面粗さ：RA3.2
形状：円筒形、円錐形、正方形、ボート型、カスタマイズ
プロセス：寒冷等吸着性のプレス、ホットプレス焼結、CNC加工
窒化ホウ素るつぼ
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材料：PBN、99.995％
サイズ：ID<200mm, H<500mm
表面粗さ：RA1.6
形状：カスタマイズ
プロセス：化学蒸気堆積（CVD） -
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材質: PBN、99.995%
サイズ: ID<350mm, height <500mm, Thickness <2mm
表面粗さ：Ra1.6
形状: 円筒形、円錐形、ボート形、カスタマイズされた
プロセス: 化学蒸着 (CVD) -
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材質：PBN、99.99%以上
サイズ: 50ml-5L
表面粗さ：Ra1.6
形状: 円筒形、カスタマイズされた
プロセス: 化学蒸着 (CVD) -
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窒化ホウ素るつぼとPBNるつぼの類似点と違い
類似点
材料の構成：どちらも主に窒化ホウ素（BN）で構成されており、通常は六角形（H-BN）結晶構造です。
高温抵抗：不活性雰囲気で1800度を超える温度に耐えることができる優れた熱安定性。
化学的不活性：溶融金属、酸、アルカリに非常に耐性があるため、高純度の用途に適しています。
熱衝撃耐性：熱膨張係数が低いと、急速な温度変化に対する強い耐性が保証されます。
電気断熱：どちらも電子絶縁体であり、電子断熱材と高温断熱用途に役立ちます。
違い
| 財産 | 窒化ホウ素（BN）るつぼ | 発熱性窒化ホウ素（PBN）るつぼ |
|---|---|---|
| 製造プロセス | H-BN粉末からホットプレスまたは焼結 | ガス前駆体からの化学蒸気堆積（CVD）（例えば、Bcl₃ +nh₃） |
| 純度 | より低い純度（99％-99。9％）、焼結エイズが含まれる場合があります | Ultra-high purity (>99.99％）、添加物なし |
| 密度と気孔率 | 密度が低い場合は、微小孔があります | 完全に密な、細孔がない、ガス密着症構造 |
| 機械的強度 | より低く、より脆い | より高い、より良い曲げ強度 |
| 熱伝導率 | 等方性（すべての方向で類似） | 異方性（堆積面に沿って高い） |
| 表面仕上げ | マットホワイト、機械加工可能 | 堆積したガラス状の滑らかな表面 |
| 料金 | 低コスト | 非常に高価（CVDプロセスのため） |
| 典型的なアプリケーション | 一般的な高温融解、ガラス処理 | 半導体結晶成長（GAAS、INP）、MBE、高純度蒸発 |
キーテイクアウト
PBNるつぼBnるつぼのプレミアム形式であり、超高純度と密度を提供しますが、はるかに高いコストです。
標準のBNるつぼより経済的であり、極端な純度が重要ではない一般的な高温アプリケーションに適しています。
選択は、純度要件、予算、および特定のプロセス条件に依存します（たとえば、半導体産業にはPBNが必要です）。
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