熱分解窒化ホウ素るつぼ

熱分解窒化ホウ素るつぼは、高純度、化学的不活性、優れた中間層構造と性能を備えており、元素の精製や化合物および化合物半導体の結晶成長に理想的な容器です。 PBN セラミック製品は、高温および高真空の条件下で製造され、原料は完全に反応し、グラファイトまたはその他の基板上に堆積されます。

特殊な CVD プロセスにより、熱分解窒化ホウ素にほぼ完全な層状構造が与えられ、その結果、異方性の熱伝導率が得られます。通常のホットプレス窒化ホウ素とは異なり、PBN 加工プロセスでは焼結剤の添加が不要なため、最大 99.999% の純度のセラミック製品を製造できます。これらの特性により、PBN るつぼは半導体結晶合成に広く使用されており、結晶成長るつぼに最適な容器です。

- 無毒で無味

-高純度、最大99.999%以上

- 室温では酸、アルカリ、塩、有機試薬とは反応せず、溶融塩やアルカリ溶液中ではわずかに腐食しますが、高温ではさまざまな酸による腐食に耐えます。

- ほとんどの溶融金属、半導体、およびそれらの化合物とは反応しません。

- ほとんどの溶融金属、半導体、およびそれらの化合物とは反応しません。

-1000度以下での良好な耐酸化性

-耐熱衝撃性に優れ、2000度の水に浸漬しても亀裂が生じません。

-動作温度が高く、昇華点がなく、3000度を超えるとBとNに直接分解します。

-高い抵抗率、優れた電気絶縁性能

- 滑らかな表面、細孔がなく、ほとんどの半導体溶融物と濡れません。

- 無毒

チップナノ先端材料 結晶成長用のさまざまなPBNるつぼ（OLED、MBE、VGF、LECなど）およびセラミック部品（チューブ、リング、プレート、ブラケットなど）、真空炉断熱部品、金属蒸着、発熱体ブラケットなどを提供しています。 。